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BCW67-C、BCW67CE6327对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW67-C BCW67CE6327

描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon通用 PNP 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 - SOT-23-3

频率 - 200 MHz

额定电压(DC) - -32.0 V

额定电流 - -800 mA

极性 - PNP

耗散功率 - 330 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 32 V

集电极最大允许电流 - 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) - 35

工作温度(Max) - 150 ℃

耗散功率(Max) - 330 mW

长度 - 2.9 mm

宽度 - 1.3 mm

高度 - 0.9 mm

封装 - SOT-23-3

产品生命周期 End of Life End of Life

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free