BCW67CE6327
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Infineon
英飞凌
分立器件
BCW67CE6327中文资料参数规格
技术参数
频率 200 MHz
额定电压DC -32.0 V
额定电流 -800 mA
极性 PNP
耗散功率 330 mW
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.8A
最小电流放大倍数hFE 35
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 330 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCW67CE6327引脚图与封装图
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在线购买BCW67CE6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCW67CE6327 | Infineon 英飞凌 | 通用 PNP 晶体管，Infineon ### 双极晶体管，Infineon | 搜索库存 |
替代型号BCW67CE6327
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCW67CE6327 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-23 PNP 32V 800mA | 当前型号 | 通用 PNP 晶体管，Infineon### 双极晶体管，Infineon | 当前型号 |
| 型号： BCW67-C 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A IC, 32V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon | BCW67CE6327和BCW67-C的区别 |