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TLE2021IDR、TLE2021MDREP、MC33171DT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLE2021IDR TLE2021MDREP MC33171DT

描述 神剑高速低功耗精密运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED LOW-POWER PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERS神剑高速低功耗精密运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED LOW-POWER PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERSSTMICROELECTRONICS  MC33171DT  运算放大器, 单路, 2.1 MHz, 1个放大器, 2 V/µs, ± 2V 至 ± 22V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤20 mA ≤20 mA 27 mA

供电电流 240 μA 200 µA 220 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 725 mW - -

共模抑制比 85dB ~ 110dB 85 dB 100 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K -

带宽 1.20 MHz - 2.1 MHz

转换速率 500 mV/μs 500 mV/μs 2.00 V/μs

增益频宽积 2 MHz 2 MHz 2.1 MHz

输入补偿电压 120 μV 120 µV 1 mV

输入偏置电流 25 nA 25 nA 20 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 725 mW - -

共模抑制比(Min) 85 dB 85 dB 80 dB

电源电压(Max) 40 V - -

电源电压(Min) 4 V - -

增益带宽 - 1.2 MHz 2.1 MHz

针脚数 - - 8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.91 mm - -

高度 1.58 mm - 1.65 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -55℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99