2N7002LT1G、RK7002T116、2N7002TA对比区别

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型号 2N7002LT1G RK7002T116 2N7002TA

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N7002LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 VROHM  RK7002T116  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 1.85 VDIODES INC.  2N7002TA  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 115 mA 115 mA 115 mA

额定功率 0.225 W - -

无卤素状态 Halogen Free - -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 7.5 Ω 7.5 Ω 7.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 mW 225 mW 330 mW

阈值电压 2.5 V 1.85 V 2.5 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V 60.0 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±40.0 V

连续漏极电流(Ids) 115 mA 115 mA 115 mA

正向电压(Max) 1.5 V - -

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 330 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 225mW (Ta) 225mW (Ta) 330mW (Ta)

长度 2.9 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.94 mm - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99