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2SC2383-O、ZTX650、2SC2383-Y对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SC2383-O ZTX650 2SC2383-Y

描述 NPN Silicon Plastic-Encapsulate TransistorTrans GP BJT NPN 45V 2A 3Pin E-LineNPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Diodes (美台) Micro Commercial Components (美微科)

分类

基础参数对比

封装 TO-92 TO-92-3 TO-92

安装方式 - Through Hole -

封装 TO-92 TO-92-3 TO-92

长度 - 4.77 mm -

宽度 - 2.41 mm -

高度 - 4.01 mm -

产品生命周期 End of Life Obsolete Active

极性 - NPN -

耗散功率 - 1000 mW -

增益频宽积 - 175 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V -

集电极最大允许电流 - 2A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

RoHS标准 - RoHS Compliant -