ZTX650
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Diodes
美台
电子元器件分类
ZTX650中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 1000 mW
增益频宽积 175 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 2A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
高度 4.01 mm
封装 TO-92-3
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
ZTX650引脚图与封装图
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在线购买ZTX650
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZTX650 | Diodes 美台 | Trans GP BJT NPN 45V 2A 3Pin E-Line | 搜索库存 |
替代型号ZTX650
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZTX650 品牌： Diodes 美台 封装： | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 45V 2A 3Pin E-Line | 当前型号 |
| 型号： BC550B 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 45V 100mA | 功能相似 | NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | ZTX650和BC550B的区别 |
| 型号： 2SC2383-O 品牌： 美微科 封装： | 功能相似 | NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor | ZTX650和2SC2383-O的区别 |
| 型号： 2SC2383-Y 品牌： 美微科 封装： | 功能相似 | NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor | ZTX650和2SC2383-Y的区别 |