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BC856BDW1T3、BC856BDW1T3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC856BDW1T3 BC856BDW1T3G

描述 SC-88 PNP 65V 0.1APNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-363 SC-70-6

引脚数 - 6

额定电压(DC) -65.0 V -65.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A

频率 - 100 MHz

耗散功率 - 380 mW

最小电流放大倍数(hFE) - 220 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 475

额定功率(Max) - 380 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 380 mW

封装 SOT-363 SC-70-6

长度 - 2.08 mm

宽度 - 1.25 mm

高度 - 0.95 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

材质 - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃