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IDT7202LA35J、IDT7202LA35JG、7202LA35SO对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT7202LA35J IDT7202LA35JG 7202LA35SO

描述 CMOS异步FIFO 256 ×9 , 512× 9 , 1024 ×9 CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1,024 x 9FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 1K x 9 32Pin PLCC Tube/TrayFIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 1K x 9 28Pin SOIC

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 FIFOFIFO

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 32 28

封装 PLCC-32 QCCJ SOIC

长度 - - 17.9 mm

宽度 - - 8.40 mm

封装 PLCC-32 QCCJ SOIC

厚度 - - 2.62 mm

工作温度 - - 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tube Each -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

频率 - 22.2 MHz -

时钟频率 - 22.2 MHz -

存取时间 - 35 ns -

内存容量 - 1125 B -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -