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IDT7202LA35JG

IDT7202LA35JG

数据手册.pdf
Integrated Device Technology 艾迪悌 电子元器件分类
IDT7202LA35JG中文资料参数规格
技术参数

频率 22.2 MHz

时钟频率 22.2 MHz

存取时间 35 ns

内存容量 1125 B

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 32

封装 QCCJ

外形尺寸

封装 QCCJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IDT7202LA35JG引脚图与封装图
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在线购买IDT7202LA35JG
型号 制造商 描述 购买
IDT7202LA35JG Integrated Device Technology 艾迪悌 FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 1K x 9 32Pin PLCC Tube/Tray 搜索库存
替代型号IDT7202LA35JG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IDT7202LA35JG

品牌: Integrated Device Technology 艾迪悌

封装:

当前型号

FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 1K x 9 32Pin PLCC Tube/Tray

当前型号

型号: 7202LA35J

品牌: 艾迪悌

封装: PLCC 32Pin

完全替代

先进先出 1024 X 9 BIT CMOS PARALLEL

IDT7202LA35JG和7202LA35J的区别

型号: IDT7202LA12JG

品牌: 艾迪悌

封装: PLCC

完全替代

FIFO(先进先出)存储器,IDT### FIFO(先进先出)存储器

IDT7202LA35JG和IDT7202LA12JG的区别

型号: IDT7202LA35J

品牌: 艾迪悌

封装: 32PLCC

功能相似

CMOS异步FIFO 256 ×9 , 512× 9 , 1024 ×9 CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1,024 x 9

IDT7202LA35JG和IDT7202LA35J的区别