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IPP60R165CP、SIHP24N65E-GE3、IRFZ14对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP60R165CP SIHP24N65E-GE3 IRFZ14

描述 INFINEON  IPP60R165CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 VE系列功率MOSFET E Series Power MOSFET功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 MOS管中高压MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.15 Ω 0.12 Ω 200 mΩ (max)

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 192 W 250 W 43.0 W

阈值电压 3 V 2 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 21.0 A 24A 10.0 A

上升时间 5 ns 84 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 2000pF @100V(Vds) 2740pF @100V(Vds) 300pF @25V(Vds)

下降时间 5 ns 69 ns 19 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 192 W 250 W -

额定电压(DC) 600 V - 60.0 V

额定电流 21.0 A - 10.0 A

漏源击穿电压 - - 60.0V (min)

额定功率(Max) 192 W - 43 W

输入电容 2.00 nF - -

栅电荷 52.0 nC - -

长度 10.36 mm 10.51 mm -

宽度 4.57 mm 4.65 mm -

高度 9.45 mm 15.49 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Not Recommended Active -

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -