IPP60R165CP
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPP60R165CP中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 21.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 192 W
阈值电压 3 V
输入电容 2.00 nF
栅电荷 52.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2000pF @100VVds
额定功率Max 192 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 192 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
IPP60R165CP引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPP60R165CP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPP60R165CP | Infineon 英飞凌 | INFINEON IPP60R165CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号IPP60R165CP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPP60R165CP 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 600V 21A 2nF | 当前型号 | INFINEON IPP60R165CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： SIHP24N65E-GE3 品牌： 威世 封装： TO-220AB N-Channel 650V 24A 145mΩ | 功能相似 | E系列功率MOSFET E Series Power MOSFET | IPP60R165CP和SIHP24N65E-GE3的区别 |
| 型号： SIHP22N60E-GE3 品牌： 威世 封装： TO-220-3 N-Channel 600V 21A 180mΩ 4V | 功能相似 | N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 PFC 和开关模式电源 SMPS。### 特点低灵敏值 FOM RDSon x Qg 低输入电容 Ciss 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 Qg 快速切换 减少切换和传导损耗### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | IPP60R165CP和SIHP22N60E-GE3的区别 |
| 型号： IRFZ14 品牌： 威世 封装： TO-220 N-Channel 60V 10A 200mΩ | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | IPP60R165CP和IRFZ14的区别 |