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MMDT3906-7、MMDT3906-7-F、MBT3906DW1T1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMDT3906-7 MMDT3906-7-F MBT3906DW1T1G

描述 特点•双PNP小信号面装载晶体管 •外延平面电路小..DIODES INC.  MMDT3906-7-F  双极晶体管阵列, 双路, PNP, -40 V, 200 mW, -200 mA, 100 hFE, SOT-363ON SEMICONDUCTOR  MBT3906DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, PNP, -40 V, 150 mW, -200 mA, 60 hFE, SOT-363

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 6

封装 SOT-323-6 SOT-363 SC-70-6

频率 - 250 MHz 250 MHz

额定电压(DC) -40.0 V -40.0 V -40.0 V

额定电流 -200 mA -200 mA -200 mA

额定功率 - 0.2 W 150 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 - 6 6

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

耗散功率 - 200 mW 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V

额定功率(Max) 200 mW 200 mW 150 mW

直流电流增益(hFE) - 100 60

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 200 mW 150 mW

长度 - - 2.2 mm

宽度 - - 1.35 mm

高度 - - 1 mm

封装 SOT-323-6 SOT-363 SC-70-6

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99