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JAN2N3019S、JANTXV2N3019S、2N3019S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N3019S JANTXV2N3019S 2N3019S

描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) JANTXV2N3019S低功率晶体管 Low Power Transistor

数据手册 ---

制造商 M/A-Com ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 - TO-39-3 205AB

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 - TO-39-3 205AB

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Box -

军工级 - Yes Yes

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

频率 - 400 MHz -

极性 - NPN -

耗散功率 - 0.8 W -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 -

最大电流放大倍数(hFE) - 300 -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -