JANTXV2N3019S
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
JANTXV2N3019S中文资料参数规格
技术参数
频率 400 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.8 W
最小电流放大倍数hFE 100
最大电流放大倍数hFE 300
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39-3
外形尺寸
封装 TO-39-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
军工级 Yes
JANTXV2N3019S引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N3019S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N3019S | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT JANTXV2N3019S | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N3019S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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