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IPB025N10N3GATMA1、IRLS4030TRLPBF、IPB017N10N5ATMA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB025N10N3GATMA1 IRLS4030TRLPBF IPB017N10N5ATMA1

描述 INFINEON  IPB025N10N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.7 V晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.5 V晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 7 3 8

封装 TO-263-7 TO-263-3 TO-263-7

额定功率 300 W 370 W 375 W

针脚数 7 3 7

漏源极电阻 0.002 Ω 0.0034 Ω 0.0015 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 300 W 370 W 375 W

阈值电压 2.7 V 2.5 V 2.2 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 180A 180A 180A

上升时间 58 ns 330 ns 23 ns

输入电容(Ciss) 11100pF @50V(Vds) 11360pF @50V(Vds) 15600pF @50V(Vds)

下降时间 28 ns 170 ns 27 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300000 mW 370W (Tc) 375W (Tc)

通道数 - - 1

额定功率(Max) - - 375 W

长度 10 mm 6.5 mm -

宽度 9.25 mm 6.22 mm 9.25 mm

高度 4.4 mm 2.3 mm -

封装 TO-263-7 TO-263-3 TO-263-7

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - - EAR99