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IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPB025N10N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.7 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB025N10N3GATMA1, 180 A, Vds=100 V, 7引脚 D2PAK TO-263封装


得捷:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7


立创商城:
N沟道 100V 180A


贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R


安富利:
MV POWER MOS


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.7 V


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 / N-Channel 100 V 180A Tc 300W Tc Surface Mount PG-TO263-7


IPB025N10N3GATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 300 W

针脚数 7

漏源极电阻 0.002 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 2.7 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 180A

上升时间 58 ns

输入电容Ciss 11100pF @50VVds

下降时间 28 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, , Industrial, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, 电源管理, Power Management, 电机驱动与控制, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, 音频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPB025N10N3GATMA1引脚图与封装图
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在线购买IPB025N10N3GATMA1
型号 制造商 描述 购买
IPB025N10N3GATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPB025N10N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.7 V 搜索库存
替代型号IPB025N10N3GATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPB025N10N3GATMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： REEL N-Channel 100V 180A

当前型号

INFINEON  IPB025N10N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.7 V

当前型号

型号： IPB180N10S402ATMA1

品牌： 英飞凌

封装： TO-263-7 N-CH 100V 180A

类似代替

晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0029 ohm, 10 V, 2.7 V

IPB025N10N3GATMA1和IPB180N10S402ATMA1的区别

型号： IPB017N10N5LFATMA1

品牌： 英飞凌

封装：

类似代替

晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3.3 V

IPB025N10N3GATMA1和IPB017N10N5LFATMA1的区别

型号： IRLS4030TRLPBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 100V 180A

功能相似

晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.5 V

IPB025N10N3GATMA1和IRLS4030TRLPBF的区别