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VEC2616-TL-H、VEC2616-TL-W对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VEC2616-TL-H VEC2616-TL-W

描述 N/P 通道 MOSFET,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorON SEMICONDUCTOR  VEC2616-TL-W  双路场效应管, MOSFET, N和P, 3 A, 60 V, 0.062 ohm, 10 V, 2.6 V 新

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SMD-8 SOT-28

通道数 2 -

极性 N+P N-Channel, P-Channel

耗散功率 900 mW 900 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 3A/2.5A -

上升时间 7.5 ns -

输入电容(Ciss) 505pF @20V(Vds) 505pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 1 W

下降时间 22 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 900 mW 1 W

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 0.062 Ω

阈值电压 - 2.6 V

长度 2.9 mm 2.9 mm

宽度 2.3 mm 2.3 mm

高度 0.75 mm 0.73 mm

封装 SMD-8 SOT-28

材质 Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

香港进出口证 - NLR