IRFS4310PBF、IRFS4310ZPBF、SUM110N10-09-E3对比区别

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型号 IRFS4310PBF IRFS4310ZPBF SUM110N10-09-E3

描述 N 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON  IRFS4310ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 0.0048 ohm, 10 V, 4 VVISHAY  SUM110N10-09-E3.  场效应管, N通道, MOSFET, 100V, 110A TO-263

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

额定功率 330 W 250 W -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 0.0056 Ω 0.0048 Ω 0.0095 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 300 W 250 W 437.5 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 130A 127A 110 A

上升时间 110 ns 60 ns 125 ns

输入电容(Ciss) 7670pF @50V(Vds) 6860pF @50V(Vds) -

额定功率(Max) 300 W 250 W -

下降时间 78 ns 57 ns 130 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300000 mW 250000 mW -

通道数 1 - -

漏源击穿电压 100 V - -

长度 10.67 mm 10.67 mm -

宽度 9.65 mm 9.65 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Active -

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - - No SVHC