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TSH111ID、TSH112IDT、TSH111IDT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TSH111ID TSH112IDT TSH111IDT

描述 宽频带,低噪声运算放大器 WIDE BAND, LOW NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS宽带低噪声运算放大器 Wide band low noise operational amplifiers宽带低噪声运算放大器 Wide band low noise operational amplifiers

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 12.0 V - -

输出电压 2.00 V - -

供电电流 4 mA 4 mA 4 mA

电路数 1 2 1

通道数 1 - -

带宽 100 MHz - -

转换速率 450 V/μs 450 V/μs 450 V/μs

输入补偿电压 900 µV 900 µV 900 µV

输入偏置电流 3 µA 3 µA 3 µA

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

3dB带宽 100 MHz 100 MHz 100 MHz

增益带宽 58 dB - -

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.65 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -