TSH111ID
数据手册.pdfST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
TSH111ID中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 12.0 V
输出电压 2.00 V
供电电流 4 mA
电路数 1
通道数 1
带宽 100 MHz
转换速率 450 V/μs
输入补偿电压 900 µV
输入偏置电流 3 µA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
3dB带宽 100 MHz
增益带宽 58 dB
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
TSH111ID引脚图与封装图
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在线购买TSH111ID
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TSH111ID | ST Microelectronics 意法半导体 | 宽频带，低噪声运算放大器 WIDE BAND, LOW NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS | 搜索库存 |
替代型号TSH111ID
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TSH111ID 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SOIC 8Pin 450V/us 1Channel | 当前型号 | 宽频带，低噪声运算放大器 WIDE BAND, LOW NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS | 当前型号 |
| 型号： TSH110ILT 品牌： 意法半导体 封装： SOT-23 5Pin 450 V/μs 1Channel | 完全替代 | 宽带低噪声运算放大器 Wide band low noise operational amplifiers | TSH111ID和TSH110ILT的区别 |
| 型号： TSH111IDT 品牌： 意法半导体 封装： SOIC 8Pin 450V/us | 完全替代 | 宽带低噪声运算放大器 Wide band low noise operational amplifiers | TSH111ID和TSH111IDT的区别 |
| 型号： TSH112IDT 品牌： 意法半导体 封装： SOIC 8Pin 450V/us | 类似代替 | 宽带低噪声运算放大器 Wide band low noise operational amplifiers | TSH111ID和TSH112IDT的区别 |