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FDG6302P、FDG6304P、FDG6302PL99Z对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDG6302P FDG6304P FDG6302PL99Z

描述 双P沟道FET的数字 Dual P-Channel, Digital FETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6304P  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -410 mA, -25 V, 0.85 ohm, -4.5 V, -820 mVSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.14A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 SC-70-6 SC-70-6 -

额定电压(DC) -25.0 V -25.0 V -

额定电流 -140 mA -410 mA -

漏源极电阻 10.0 Ω 0.85 Ω -

极性 P-Channel, Dual P-Channel P-Channel, Dual P-Channel -

耗散功率 300 mW 300 mW -

输入电容 12.0 pF 62.0 pF -

栅电荷 220 pC 1.10 nC -

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V -

漏源击穿电压 -25.0 V -25.0 V -

连续漏极电流(Ids) -140 mA -410 mA -

上升时间 8 ns 8 ns -

输入电容(Ciss) 12pF @10V(Vds) 62pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 300 mW 300 mW -

下降时间 8 ns 35 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

针脚数 - 6 -

长度 2 mm 2 mm -

宽度 1.25 mm 1.25 mm -

高度 1.1 mm 1.1 mm -

封装 SC-70-6 SC-70-6 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -