FDG6302P
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDG6302P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -140 mA
漏源极电阻 10.0 Ω
极性 P-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 300 mW
输入电容 12.0 pF
栅电荷 220 pC
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 -25.0 V
连续漏极电流Ids -140 mA
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 12pF @10VVds
额定功率Max 300 mW
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.1 mm
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDG6302P引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FDG6302P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDG6302P 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： 6-TSSOP P-Channel -25V -140mA 10ohms 12pF | 当前型号 | 双P沟道FET的数字 Dual P-Channel, Digital FET | 当前型号 |
| 型号： FDG6304P 品牌： 飞兆/仙童 封装： SC-70 P-Channel -25V -410mA 1.1ohms 62pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6304P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -410 mA, -25 V, 0.85 ohm, -4.5 V, -820 mV | FDG6302P和FDG6304P的区别 |
| 型号： FDG6302P_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： SC-70 P-CH 25V 0.14A | 功能相似 | Dual P-Channel Digital FET | FDG6302P和FDG6302P_NL的区别 |