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2N2219A、JAN2N2219、2N2219AL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N2219A JAN2N2219 2N2219AL

描述 小信号双极NPN硅 SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICONNPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTORNPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-39-3 TO-39 TO-5-3

耗散功率 800 mW 0.8 W 800 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 30 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 325

封装 TO-39-3 TO-39 TO-5-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Bag Bag Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - -