JAN2N2219
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N2219中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.8 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N2219引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N2219
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N2219 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 800mW | 当前型号 | NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： 2N2219A 品牌： 美高森美 封装： TO-39-3 800mW | 功能相似 | 小信号双极NPN硅 SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON | JAN2N2219和2N2219A的区别 |
| 型号： 2N2219 品牌： Central Semiconductor 封装： TO-39 | 功能相似 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Ampl/Switch | JAN2N2219和2N2219的区别 |
| 型号： 2N2219A-BP 品牌： 美微科 封装： | 功能相似 | TO-39 NPN 50V 0.8A | JAN2N2219和2N2219A-BP的区别 |