BSC520N15NS3GATMA1、FDMS2572、FDMS86252对比区别

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型号 BSC520N15NS3GATMA1 FDMS2572 FDMS86252

描述 INFINEON  BSC520N15NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 150 V, 0.042 ohm, 10 V, 3 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS2572  晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 150 V, 0.036 ohm, 10 V, 3 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS86252  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 150 V, 0.0439 ohm, 10 V, 2.8 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PG-TDSON-8 Power-56-8 Power-56-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.042 Ω 0.036 Ω 0.0439 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 57 W 78 W 69 W

阈值电压 3 V 3 V 2.8 V

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 21A 27.0 A 4.6A

上升时间 4 ns 8 ns 2.3 ns

输入电容(Ciss) 890pF @75V(Vds) 2610pF @75V(Vds) 905pF @75V(Vds)

额定功率(Max) 57 W 2.5 W 2.5 W

下降时间 3 ns 31 ns 3.2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 57W (Tc) 78 W 2.5W (Ta), 69W (Tc)

额定功率 57 W - -

额定电压(DC) - 150 V -

额定电流 - 4.50 A -

通道数 - 1 -

输入电容 - 1.96 nF -

栅电荷 - 31.0 nC -

漏源击穿电压 - 150 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 5.9 mm 5 mm 5 mm

宽度 5.15 mm 6 mm 6 mm

高度 1.27 mm 0.75 mm 1.05 mm

封装 PG-TDSON-8 Power-56-8 Power-56-8

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 -