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FDMS86252
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS86252  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 150 V, 0.0439 ohm, 10 V, 2.8 V

PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A, Semiconductor


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 4.6A 8-Pin Power 56 T/R


富昌:
FDMS86252 系列 150 V 51 mOhm N-沟道 屏蔽 栅极 PowerTrench Mosfet


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin Power 56 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS86252  MOSFET Transistor, N Channel, 16 A, 150 V, 0.0439 ohm, 10 V, 2.8 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 150V 16A POWER56


FDMS86252中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0439 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 69 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 4.6A

上升时间 2.3 ns

输入电容Ciss 905pF @75VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 3.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 69W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-56-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 6 mm

高度 1.05 mm

封装 Power-56-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDMS86252引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDMS86252 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS86252  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 150 V, 0.0439 ohm, 10 V, 2.8 V 搜索库存
替代型号FDMS86252
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDMS86252

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: Power N-Channel 150V 4.6A

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS86252  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 150 V, 0.0439 ohm, 10 V, 2.8 V

当前型号

型号: BSC520N15NS3GATMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 150V 21A

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