针脚数 8
漏源极电阻 0.0439 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 69 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 4.6A
上升时间 2.3 ns
输入电容Ciss 905pF @75VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 3.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 69W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56-8
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 1.05 mm
封装 Power-56-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDMS86252 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86252 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 150 V, 0.0439 ohm, 10 V, 2.8 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDMS86252 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: Power N-Channel 150V 4.6A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86252 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 150 V, 0.0439 ohm, 10 V, 2.8 V | 当前型号 | |
型号: BSC520N15NS3GATMA1 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 150V 21A | 功能相似 | INFINEON BSC520N15NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 150 V, 0.042 ohm, 10 V, 3 V | FDMS86252和BSC520N15NS3GATMA1的区别 |