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APT20M20B2FLLG、APT20M20B2LLG、APT20M20B2LL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT20M20B2FLLG APT20M20B2LLG APT20M20B2LL

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3Pin(3+Tab) T-MAX功率MOS 7是新一代低损耗,高电压, N沟道的 Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel功率MOS 7是新一代低损耗,高电压, N沟道的 Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 T-MAX T-MAX T-MAX

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 200 V 200 V -

额定电流 100 A 100 A -

耗散功率 568 W - -

输入电容 6.85 nF 6.85 nF -

栅电荷 110 nC 110 nC -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 100 A 100 A 100A

极性 - - N-CH

上升时间 - 40 ns -

输入电容(Ciss) - 6850pF @25V(Vds) -

下降时间 - 2 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 568000 mW -

封装 T-MAX T-MAX T-MAX

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -