APT20M20B2FLLG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT20M20B2FLLG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 100 A
耗散功率 568 W
输入电容 6.85 nF
栅电荷 110 nC
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 100 A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 T-MAX
外形尺寸
封装 T-MAX
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT20M20B2FLLG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APT20M20B2FLLG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT20M20B2FLLG | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3Pin3+Tab T-MAX | 搜索库存 |
替代型号APT20M20B2FLLG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT20M20B2FLLG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-264 200V 100A 6.85nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3Pin3+Tab T-MAX | 当前型号 |
| 型号： APT20M20B2LLG 品牌： 美高森美 封装： TO-264 200V 100A 6.85nF | 完全替代 | 功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的 Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel | APT20M20B2FLLG和APT20M20B2LLG的区别 |