NSBC144EPDXV6T1G、PEMD12,115、PEMD12,315对比区别

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型号 NSBC144EPDXV6T1G PEMD12,115 PEMD12,315

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsNXP  PEMD12,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 100 mA, 80 hFESOT-666 NPN+PNP 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-563-6 SOT-666 SOT-666

极性 NPN, PNP NPN, PNP NPN+PNP

耗散功率 0.5 W 300 mW 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 5V 80 @5mA, 5V

额定功率(Max) 500 mW 300 mW 300 mW

针脚数 - 6 -

直流电流增益(hFE) - 80 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW 300 mW -

额定电压(DC) 50.0 V - -

额定电流 100 mA - -

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

高度 0.55 mm 0.6 mm 0.6 mm

封装 SOT-563-6 SOT-666 SOT-666

长度 1.6 mm - -

宽度 1.2 mm - -

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -