PEMD12,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PEMD12,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
极性 NPN, PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 80
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666
外形尺寸
高度 0.6 mm
封装 SOT-666
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PEMD12,115引脚图与封装图
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在线购买PEMD12,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PEMD12,115 | NXP 恩智浦 | NXP PEMD12,115 单晶体管 双极, BRT, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 100 mA, 80 hFE | 搜索库存 |
替代型号PEMD12,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PEMD12,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-666 NPN 300mW | 当前型号 | NXP PEMD12,115 单晶体管 双极, BRT, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 100 mA, 80 hFE | 当前型号 |
| 型号： PEMD12,315 品牌： 恩智浦 封装： SOT-563 NPN PNP | 类似代替 | SOT-666 NPN+PNP 50V 100mA | PEMD12,115和PEMD12,315的区别 |
| 型号： NSBC144EPDXV6T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN 50V 100mA 500mW | 功能相似 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | PEMD12,115和NSBC144EPDXV6T1G的区别 |
| 型号： NSBC144EPDXV6T5G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN PNP 50V 100mA 500mW | 功能相似 | SOT-563 NPN+PNP 50V 100mA | PEMD12,115和NSBC144EPDXV6T5G的区别 |