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SPW20N60S5

SPW20N60S5

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  SPW20N60S5.  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V

CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
SPW20N60S5


欧时:
Infineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3


Newark:
Power MOSFET, N Channel, 20 A, 600 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V


儒卓力:
**CoolMOS 600V 20A 190mOhm TO247 **


力源芯城:
600V,20A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247


SPW20N60S5中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 20.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.19 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

阈值电压 4.5 V

输入电容 3.00 nF

栅电荷 103 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 3000pF @25VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

耗散功率Max 208 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.9 mm

宽度 5.3 mm

高度 20.95 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Design

包装方式 Tube

制造应用 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

SPW20N60S5引脚图与封装图
SPW20N60S5引脚图

SPW20N60S5引脚图

SPW20N60S5封装图

SPW20N60S5封装图

SPW20N60S5封装焊盘图

SPW20N60S5封装焊盘图

在线购买SPW20N60S5
型号 制造商 描述 购买
SPW20N60S5 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPW20N60S5.  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V 搜索库存
替代型号SPW20N60S5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SPW20N60S5

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-247 N-Channel 650V 20A 3nF

当前型号

INFINEON  SPW20N60S5.  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V

当前型号

型号: SPW16N50C3FKSA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-247 N-Channel 560V 16A

类似代替

Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 MOSFET SPW16N50C3FKSA1, 16 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装

SPW20N60S5和SPW16N50C3FKSA1的区别

型号: SIHG22N60E-GE3

品牌: 威世

封装: TO-247AC N-Channel

功能相似

VISHAY  SIHG22N60E-GE3.  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 21A, TO-247AC-3

SPW20N60S5和SIHG22N60E-GE3的区别

型号: SIHG22N60E-E3

品牌: 威世

封装: TO-247AC N-Channel

功能相似

VISHAY  SIHG22N60E-E3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V

SPW20N60S5和SIHG22N60E-E3的区别