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ISO5500DW、ISO5500DWR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ISO5500DW ISO5500DWR

描述 TEXAS INSTRUMENTS  ISO5500DW  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧, 3V-5.5V电源, 2.5A输出, 200ns延迟, SOIC-162.5 A隔离式IGBT , MOSFET栅极驱动器 2.5 A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16

上升/下降时间 55ns, 10ns 55ns, 10ns

输出接口数 1 1

通道数 1 1

耗散功率 592 mW 592 mW

隔离电压 4243 Vrms 4243 Vrms

下降时间 10 ns 10 ns

下降时间(Max) 10 ns 10 ns

上升时间(Max) 55 ns 55 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 592 mW 592 mW

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 3 V 3 V

电源电压(DC) 3.00V (min) -

输出电流 2.5 A -

针脚数 16 -

上升时间 55 ns -

输出电流(Max) 2.5 A -

封装 SOIC-16 SOIC-16

长度 10.5 mm -

宽度 7.6 mm -

高度 2.35 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99