锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

CY7C1370DV25-200BZC、CY7C1370KV25-200BZC、CY7C1370DV25-200BZCT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1370DV25-200BZC CY7C1370KV25-200BZC CY7C1370DV25-200BZCT

描述 18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture静态随机存取存储器 SYNC 静态随机存取存储器SSRAM Chip Sync Quad 2.5V 18M-Bit 512K x 36 3ns 165Pin FBGA T/R

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 165 165 -

封装 FBGA-165 FBGA-165 LBGA-165

位数 36 36 -

存取时间 3 ns 3 ns -

存取时间(Max) 3 ns 3.2 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

电源电压 2.375V ~ 2.625V 2.375V ~ 2.625V 2.375V ~ 2.625V

高度 0.89 mm - -

封装 FBGA-165 FBGA-165 LBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free