PHW80NQ10T、PHW80NQ10T,127、IXFH75N10对比区别

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型号 PHW80NQ10T PHW80NQ10T,127 IXFH75N10

描述 N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistorMOSFET N-CH 100V 80A SOT429IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH75N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 20 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 - - 3

耗散功率 - 263W (Tc) 300 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

输入电容(Ciss) - 4720pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 263W (Tc) 300W (Tc)

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 80.0 A - 75.0 A

极性 N-CH - N-Channel

输入电容 4.72 nF - 4.50 nF

栅电荷 109 nC - 260 nC

连续漏极电流(Ids) 80.0 A - 75.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.02 Ω

阈值电压 - - 4 V

上升时间 - - 60 ns

额定功率(Max) - - 300 W

下降时间 - - 60 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15