PHW80NQ10T,127
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PHW80NQ10T,127中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 263W Tc
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 4720pF @25VVds
耗散功率Max 263W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PHW80NQ10T,127引脚图与封装图
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在线购买PHW80NQ10T,127
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHW80NQ10T,127 | NXP 恩智浦 | MOSFET N-CH 100V 80A SOT429 | 搜索库存 |
替代型号PHW80NQ10T,127
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHW80NQ10T,127 品牌： NXP 恩智浦 封装： | 当前型号 | MOSFET N-CH 100V 80A SOT429 | 当前型号 |
| 型号： PHW80NQ10T 品牌： 恩智浦 封装： TO-247 N-CH 100V 80A 4.72nF | 类似代替 | N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor | PHW80NQ10T,127和PHW80NQ10T的区别 |