AUIRFR2905Z、AUIRFR2905ZTR、STD60NF55LT4对比区别

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型号 AUIRFR2905Z AUIRFR2905ZTR STD60NF55LT4

描述 INFINEON  AUIRFR2905Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 55 V, 0.0111 ohm, 10 V, 2 VDPAK N-CH 55V 59ASTMICROELECTRONICS  STD60NF55LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

额定功率 110 W 110 W -

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 110 W 110 W 110 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 59A 59A 30.0 A

上升时间 66 ns 66 ns 180 ns

输入电容(Ciss) 1380pF @25V(Vds) 1380pF @25V(Vds) 1950pF @25V(Vds)

下降时间 35 ns 35 ns 35 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) 110000 mW 100W (Tc)

额定电压(DC) - - 55.0 V

额定电流 - - 60.0 A

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0111 Ω - 0.012 Ω

阈值电压 2 V - 2 V

漏源击穿电压 - - 55.0 V

栅源击穿电压 - - ±15.0 V

额定功率(Max) 110 W - 110 W

长度 6.73 mm 6.5 mm 6.6 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.2 mm

高度 2.39 mm 2.3 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2014/06/16

ECCN代码 EAR99 - EAR99