JAN2N3868、JAN2N3868S、2N3868对比区别

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型号 JAN2N3868 JAN2N3868S 2N3868

描述 硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-5 TO-205 TO-5

耗散功率 1 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @1.5A, 2V 30 @1.5A, 2V -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

封装 TO-5 TO-205 TO-5

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bag Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -