JAN2N3868
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N3868中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 30 @1.5A, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-5
外形尺寸
封装 TO-5
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
海关信息
ECCN代码 EAR99
JAN2N3868引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N3868
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N3868 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-5 1000mW | 当前型号 | 硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N3868S 品牌： 美高森美 封装： TO-39 1W | 完全替代 | 硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors | JAN2N3868和JANTX2N3868S的区别 |
| 型号： JAN2N3868S 品牌： 美高森美 封装： TO-39 | 完全替代 | 硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors | JAN2N3868和JAN2N3868S的区别 |
| 型号： JANTXV2N3868S 品牌： 美高森美 封装： TO-39 | 完全替代 | 硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors | JAN2N3868和JANTXV2N3868S的区别 |