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IRF1405PBF、IRF1405ZPBF、IRF2807SPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1405PBF IRF1405ZPBF IRF2807SPBF

描述 INFINEON  IRF1405PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 169 A, 55 V, 5.3 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRF1405ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 55 V, 4.9 mohm, 10 V, 4 VMOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 13 Milliohms; ID 82A; D2Pak; PD 230W; VGS +/-20V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3

额定电压(DC) - - 75.0 V

额定电流 - - 82.0 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 0.0053 Ω 0.0049 Ω 13 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 330 W 230 W 230 W

产品系列 - - IRF2807S

输入电容 5480 pF - 3820pF @25V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 75 V

漏源击穿电压 55 V - 75 V

连续漏极电流(Ids) 169A 150A 82.0 A

上升时间 190 ns 110 ns 64.0 ns

输入电容(Ciss) 5480pF @25V(Vds) 4780pF @25V(Vds) 3820pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 330 W 230 W 230 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定功率 200 W 230 W -

针脚数 3 3 -

阈值电压 4 V 4 V -

下降时间 110 ns 82 ns -

耗散功率(Max) 330W (Tc) 230W (Tc) -

长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm

宽度 - 4.83 mm 6.22 mm

高度 8.77 mm 16.51 mm 4.83 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -