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IRF2807SPBF

IRF2807SPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDSON 13 Milliohms; ID 82A; D2Pak; PD 230W; VGS +/-20V

**N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, Infineon**

Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 82A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDSON 13 Milliohms; ID 82A; D2Pak; PD 230W; VGS +/-20V


Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 82A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


IRF2807SPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 75.0 V

额定电流 82.0 A

通道数 1

漏源极电阻 13 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 230 W

产品系列 IRF2807S

输入电容 3820pF @25V

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75 V

连续漏极电流Ids 82.0 A

上升时间 64.0 ns

输入电容Ciss 3820pF @25VVds

额定功率Max 230 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 6.22 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRF2807SPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF2807SPBF International Rectifier 国际整流器 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDSON 13 Milliohms; ID 82A; D2Pak; PD 230W; VGS +/-20V 搜索库存
替代型号IRF2807SPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF2807SPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-252-3 N-Channel 75V 82A

当前型号

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDSON 13 Milliohms; ID 82A; D2Pak; PD 230W; VGS +/-20V

当前型号

型号: STB140NF75T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252-3 N-Channel 75V 120A 7.5mΩ

功能相似

STB140NF75 系列 N 沟道 75 V 0.0075 Ω 160 nC STripFET™II MosFet - D2PAK

IRF2807SPBF和STB140NF75T4的区别

型号: STB60NF06LT4

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel 60V 60A 14mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB60NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 V

IRF2807SPBF和STB60NF06LT4的区别