IRG4RC10SDTRPBF、IRG4RC10STRRPBF、IRG4RC10SDTRRP对比区别

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型号 IRG4RC10SDTRPBF IRG4RC10STRRPBF IRG4RC10SDTRRP

描述 IGBT 晶体管 600V DC-1kHzTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 38 W - -

耗散功率 38 W 38000 mW 38 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 28 ns - 28 ns

额定功率(Max) 38 W 38 W 38 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 38000 mW 38000 mW 38000 mW

产品系列 - IRG4RC10S -

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -