IRG4RC10STRRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRG4RC10STRRPBF中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 38000 mW
产品系列 IRG4RC10S
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 38 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 38000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
IRG4RC10STRRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRG4RC10STRRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRG4RC10STRRPBF | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号IRG4RC10STRRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRG4RC10STRRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： DPAK 38000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： IRG4RC10SDTRPBF 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 38000mW | 类似代替 | IGBT 晶体管 600V DC-1kHz | IRG4RC10STRRPBF和IRG4RC10SDTRPBF的区别 |