CY14B104NA-ZS25XI、CY14B104NA-ZS25XIT、CY14B104N-ZS25XCT对比区别

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型号 CY14B104NA-ZS25XI CY14B104NA-ZS25XIT CY14B104N-ZS25XCT

描述 RAM，Cypress Semiconductor### 非易失 RAM (NVRAM)NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 (RTC)。4兆位（ 512K的X二百五十六分之八的K× 16 ）的nvSRAM为20 ns ， 25 ns的，和45 ns访问时间 4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

引脚数 44 44 44

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

存取时间 25 ns - 25 ns

存取时间(Max) 25 ns 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

频率 1 MHz - -

工作电压 3 V - -

供电电流 70 mA - -

针脚数 44 - -

时钟频率 1 MHz - -

耗散功率 1 W - -

耗散功率(Max) 1 W - -

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

长度 18.52 mm - 18.52 mm

宽度 10.262 mm - 10.26 mm

高度 1.044 mm - 1.04 mm

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a -