存取时间Max 25 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
安装方式 Surface Mount
引脚数 44
封装 TSOP-44
封装 TSOP-44
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 3A991.b.2.a
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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CY14B104NA-ZS25XIT | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 4兆位( 512K的X二百五十六分之八的K× 16 )的nvSRAM为20 ns , 25 ns的,和45 ns访问时间 4-Mbit 512 K x 8/256 K x 16 nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: CY14B104NA-ZS25XIT 品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装: TSOP | 当前型号 | 4兆位( 512K的X二百五十六分之八的K× 16 )的nvSRAM为20 ns , 25 ns的,和45 ns访问时间 4-Mbit 512 K x 8/256 K x 16 nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times | 当前型号 | |
型号: CY14B104NA-ZS25XI 品牌: 赛普拉斯 封装: TSOP-II | 完全替代 | RAM,Cypress Semiconductor### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。 | CY14B104NA-ZS25XIT和CY14B104NA-ZS25XI的区别 | |
型号: CY14B104N-ZS25XI 品牌: 赛普拉斯 封装: TSOP-II | 完全替代 | 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM | CY14B104NA-ZS25XIT和CY14B104N-ZS25XI的区别 | |
型号: CY14B104N-ZS25XIT 品牌: 赛普拉斯 封装: 44-TSOP | 完全替代 | 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM | CY14B104NA-ZS25XIT和CY14B104N-ZS25XIT的区别 |