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BSP88E6327、BSP92E6327对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP88E6327 BSP92E6327

描述 MOSFET N-CH 240V 350mA SOT223SOT-223P-CH 240V 0.2A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-261-4 SOT-223

额定电压(DC) 240 V -

额定电流 320 mA -

耗散功率 1.7W (Ta) -

漏源极电压(Vds) 240 V 240 V

连续漏极电流(Ids) 320 mA 0.2A

上升时间 10.0 ns -

输入电容(Ciss) 95pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 1.8 W -

耗散功率(Max) 1.7W (Ta) -

极性 - P-CH

封装 TO-261-4 SOT-223

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) -

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead -