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BSP88E6327

BSP88E6327

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

MOSFET N-CH 240V 350mA SOT223

N-Channel 240V 350mA Ta 1.7W Ta Surface Mount PG-SOT223-4


得捷:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4


Win Source:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 / N-Channel 240 V 350mA Ta 1.7W Ta Surface Mount PG-SOT223-4


BSP88E6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 240 V

额定电流 320 mA

耗散功率 1.7W Ta

漏源极电压Vds 240 V

连续漏极电流Ids 320 mA

上升时间 10.0 ns

输入电容Ciss 95pF @25VVds

额定功率Max 1.8 W

耗散功率Max 1.7W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

BSP88E6327引脚图与封装图
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在线购买BSP88E6327
型号 制造商 描述 购买
BSP88E6327 Infineon 英飞凌 MOSFET N-CH 240V 350mA SOT223 搜索库存
替代型号BSP88E6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSP88E6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-223 240V 320mA

当前型号

MOSFET N-CH 240V 350mA SOT223

当前型号

型号: BSP89E6327

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223 240V 200mA

功能相似

Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223

BSP88E6327和BSP89E6327的区别

型号: BSP92E6327

品牌: 英飞凌

封装:

功能相似

SOT-223P-CH 240V 0.2A

BSP88E6327和BSP92E6327的区别