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LM3525M-H、LM3525M-H/NOPB、MIC2075-2YM对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM3525M-H LM3525M-H/NOPB MIC2075-2YM

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LM3525M-H  双功率开关, 2.7V-5.5V电源, 1A输出, 20µs延迟, SOIC-8TEXAS INSTRUMENTS  LM3525M-H/NOPB  芯片, 单USB端口电源开关, SOIC-8MICROCHIP  MIC2075-2YM  芯片, 开关, 场效应管, MOSFET, 低电平有效, 0.5A, 8MSOP 新

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Microchip (微芯)

分类 电源管理电源管理负载控制器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 2.70V (min) 2.70V (min) -

输出接口数 1 1 1

输出电压 6.00 V ≤6.00 V -

输出电流 500 mA 500 mA -

通道数 1 1 -

针脚数 8 8 8

耗散功率 700 mW 700 mW -

静态电流 1.00 µA 1.00 µA -

上升时间 200 µs 200 µs 2300 µs

输入电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

输入电压(Min) 2.7 V 2.7 V 2.7 V

输出电流(Max) 500 mA 500 mA 500 mA

输出电流(Min) - 0.5 A -

下降时间 20 µs 20 µs 50 µs

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 700 mW 700 mW -

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V -

电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V -

输入电压 2.7V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V 5.5 V

输入电压(DC) - - 5.50 V

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.45 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Each Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99