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BD440G、BD440S、BD440对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD440G BD440S BD440

描述 塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP TransistorTrans GP BJT PNP 60V 4A 3Pin(3+Tab) TO-126 BulkBJT

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-126-3 TO-126-3 SOT-32

引脚数 3 - 3

频率 3 MHz 3 MHz -

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -

额定电流 -4.00 A -4.00 A -

极性 PNP PNP -

耗散功率 36 W 36 W -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

集电极最大允许电流 4A 4A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @500mA, 1V 40 @500mA, 1V -

额定功率(Max) 36 W 36 W -

耗散功率(Max) 36000 mW 36000 mW 36000 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

封装 TO-126-3 TO-126-3 SOT-32

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

材质 Silicon - -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Bulk Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -