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TN2540N3-G、TP5335K1-G、TN2540N3-G-P002对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TN2540N3-G TP5335K1-G TN2540N3-G-P002

描述 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 175 mA, 400 V, 8 ohm, 10 V, 2 V晶体管, MOSFET, DMOS, P沟道, -85 mA, -350 V, 30 ohm, -10 V, -2.4 VTrans MOSFET N-CH 400V 0.175A 3Pin TO-92 T/R

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 SOT-23-3 TO-92-3

耗散功率 1 W 360 mW 740 mW

漏源极电压(Vds) 400 V 350 V 400 V

上升时间 15 ns - 15 ns

输入电容(Ciss) 125pF @25V(Vds) 110pF @25V(Vds) 125pF @25V(Vds)

下降时间 20 ns - 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1W (Ta) 360mW (Ta) 1W (Ta)

额定功率 1 W 0.36 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 8 Ω 30 Ω -

极性 N-CH P-CH -

阈值电压 2 V - -

连续漏极电流(Ids) 0.175A 0.085A -

长度 - - 5.21 mm

宽度 - - 4.19 mm

高度 - - 5.33 mm

封装 TO-92-3 SOT-23-3 TO-92-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bag Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅