TP5335K1-G
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
分立器件
TP5335K1-G中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.36 W
针脚数 3
漏源极电阻 30 Ω
极性 P-CH
耗散功率 360 mW
漏源极电压Vds 350 V
连续漏极电流Ids 0.085A
输入电容Ciss 110pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
TP5335K1-G引脚图与封装图 
TP5335K1-G引脚图
TP5335K1-G封装图
TP5335K1-G封装焊盘图
在线购买TP5335K1-G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TP5335K1-G | Microchip 微芯 | 晶体管, MOSFET, DMOS, P沟道, -85 mA, -350 V, 30 ohm, -10 V, -2.4 V | 搜索库存 |
替代型号TP5335K1-G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TP5335K1-G 品牌： Microchip 微芯 封装： SOT-23 P-CH 350V 0.085A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, DMOS, P沟道, -85 mA, -350 V, 30 ohm, -10 V, -2.4 V | 当前型号 |
| 型号： TN5335K1-G 品牌： 微芯 封装： SOT-23 N-CH 350V 0.11A | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 110 mA, 350 V, 15 ohm, 10 V, 2 V | TP5335K1-G和TN5335K1-G的区别 |
| 型号： TN2540N3-G 品牌： 微芯 封装： TO-92-3 N-CH 400V 0.175A | 功能相似 | 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 175 mA, 400 V, 8 ohm, 10 V, 2 V | TP5335K1-G和TN2540N3-G的区别 |
| 型号： VP0550N3-G 品牌： 微芯 封装： TO-92-3 P-CH 500V 0.054A | 功能相似 | TO-92P-CH 500V 0.054A | TP5335K1-G和VP0550N3-G的区别 |